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国内苏大维格公布最新 3D 直写光刻技术:实现光刻胶 3D 形貌可控制备qg111钱柜

(来源:网站编辑 2020-10-18 22:15)
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IT之家10月12日消息 近期,qg111钱柜国内苏大维格厂商公布了3D直写光刻技巧进展,在半导体、光电子、新资料翻新方面更进一步。

光刻是当前半导体、平板显示、MEMS、光电子等行业的要害工艺环节。光刻技巧是指在短波长光照作用下,以光刻胶(光致抗蚀剂、photoresist)为介质,将微纳图形制备到基片上的技巧。以半导体工艺为例,钱柜钱777半导体器件由多种专用资料经过光刻、离子刻蚀、抛光等冗长微纳加工流程而实现。光刻装备是半导体工艺中最中心的配备,在掩模版制备、芯片制造跟封装环节都应用了光刻技巧。

▲光刻在半导体制程中的作用示意图

IT之家得知,光刻技巧类型分为直写光刻跟投影光刻两个大类。其中直写光刻是器件中微纳结构源头制备的要害环节,完成将企图机设计数据制备到特定基板上,钱柜QG777官网造成高精度微纳结构的图形布局。

直写光刻的概念:直写光刻系统在英文中被称为 Pattern Generator,是微纳图形生成的手段,将企图机设计的 GDSII、DXF 等图形文件制作成实物版图。

用传统打印与复印的差别来打个比方:直写光刻是打印,将企图机中的文件打印出来。投影光刻是复印,qg777钱柜客户端完成器件制造的批量化。没有过这个 “复印”历程需要多套图形的关于准复印,请求极高的关于准精度、分辨率跟一致性。

光刻技巧分类及作用

激光直写跟电子束直写是产业中两项主要的直写技巧。激光直写可能知足半导体 0.25 微米及以上节点掩模版制备,以及 0.25 微米以下部分掩模版制备。当前半导体掩模版总量的约 75% 由激光直写装备制备,其他掩模版由电子束直写装备实现。平板显示范围的大幅面掩模版,钱柜qg777电脑版100% 由激光直写装备制备。

在投影光刻范围,半导体采纳微缩投影光刻技巧,代表性供应商是荷兰 ASML;平板显示采纳大幅面投影光刻,代表性厂商是日本尼康。在诸多研发、MEMS、LED 等范围,钱柜老虎机手机版网址掩模版接触 / 濒临式光刻仍旧广泛应用。

光刻技巧类型示意图

提高激光直写光刻技巧

直写光刻与投影光刻技巧是当前产业中分工明确的两类光刻技巧,投影光刻存在更高的线宽分辨率、精度跟生产效率的特征。虽然直写光刻还没有能知足器件大规模制造的须要,但在电路板行业,激光直写调换传统曝光机是明确的趋向,钱柜老虎机手机客户端完成无掩模光刻没有时是产业寻求的空想目标,可减少昂贵掩模版的支出,提升新品开发效率,知足小批量多样化生产须要。此外,网上棋牌网址直写光刻由于其数字化的属性,存在更高的灵活性跟广泛顺应性。可开发翻新的曝光办法,作为数字化微纳加工的根底性技巧,从而有望成为半导体、光电子相关产业中工艺迭代升级、新产品翻新的要害性技巧。

在存在衬底翘曲、基片变形的光刻利用范围,直写光刻的自顺应调剂能力,使之存在假货率高、一致性好的长处。如 FanOut、COF 等提高封装模式的开展,封装光刻技巧需要存在更小的线宽、更大的幅面、更好的图形关于准套刻顺应能力。

在微纳光电子新兴范围,ALoT 的开展需要大量光电传感器件的翻新研发。3D 光刻与微纳制造是光电子产品翻新的基石性技巧,存在众多的产业利用价值,如 3D 感知、加强事实显示、光传感器件(如 TOF)、超薄成像、破体显示、新型光学膜等。微纳光子器件逐步在智能手机、加强事实 AR、车载范围利用。与集成电路图形没有同,微纳光子传感器件请求更高的位置排列精度及纵向面型精度、结构形貌存在密集继承曲面形貌的特征。因此,新型 3D 直写光刻技巧,完成曝光写入剂量与位置形貌准确婚配,是制备新型光电子传感器件级微纳结构形貌的翻新技巧路子。

3D 直写光刻技巧进展

苏大维格通过产学研配合,没有时致力于推进 3D 直写光刻技巧开发与利用,解决了多项行业挑衅:

大面积微纳结构形貌的数字设计,海量数据处理与提高算法,可达百 Tb 量级数据量

海量数据数据压缩传输、高速率光电转换技巧

数字光场造成三维形貌的曝光模式与机理,3D 临近效应校对技巧

微纳结构形貌准确光刻工艺跟运行模式

大型活动平台与光机系统的制造工艺、纳米精度掌握技巧

当前已经失掉了 3D 光刻工艺突立,完成了光刻胶 3D 形貌可掌握备。SEM 后果举例如下:

芯片光掩模

超薄菲涅尔成像透镜

微透镜阵列

涡旋结构

ToF 匀光器件

结构光 DOE

电子纸微杯

减阻结构

微流控

MEMS

微棱锥

破体成像结构

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